第五十屆令電子行業(yè)人士興奮的CES終于謝幕了，世界上絕大部分的科技巨頭都去那里一展風(fēng)采，藉此宣傳自家的新產(chǎn)品，英特爾在展會(huì)上首次公開(kāi)演示了一臺(tái)搭載10nm Cannon Lake處理器的二合一筆記本，并宣布10nm工藝芯片今年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，而三星、臺(tái)積電的10nm早已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，英特爾真的被三星、臺(tái)積電趕超，走下坡路了嗎？

一、真實(shí)的三星、臺(tái)積電10nm

三星、臺(tái)積電在工藝上有些類(lèi)似，但它們的制程工藝與英特爾的差異比較大。我們知道工藝數(shù)字越小，說(shuō)明工藝越先進(jìn)，所以晶圓代工廠(chǎng)都想方設(shè)法把數(shù)字弄得小一些，像三星、臺(tái)積電為了獲取更多的客戶(hù)，都將工藝數(shù)字進(jìn)行了美化。作為臺(tái)積電的客戶(hù)高通，在內(nèi)部的會(huì)議簡(jiǎn)報(bào)中都不會(huì)采用臺(tái)積電提供的工藝數(shù)字，而是再經(jīng)過(guò)內(nèi)部的再換算。據(jù)一位資深業(yè)者透露，聯(lián)發(fā)科內(nèi)部也有一套換算方式：臺(tái)積電的16nm等于英特爾的20nm、10nm等于英特爾的12nm。接下來(lái)未定，可能臺(tái)積電的7nm，比英特爾的10nm要好一點(diǎn)?？垂に嚨南冗M(jìn)程度，不能單純的看表面數(shù)字。

二、英特爾的10nm

英特爾通過(guò)此次展會(huì)宣布今年將要量產(chǎn)10nm，科再奇發(fā)布會(huì)上表示：“技術(shù)正以前所未有的速度向前發(fā)展，而摩爾定律是加速的核心?！?/p>

英特爾在最新一期的半導(dǎo)體行業(yè)權(quán)威刊物《IEEE Spectrum》上撰文，暢談了自己的10nm工藝，尤其是在技術(shù)、成本方面的巨大優(yōu)勢(shì)。Intel高級(jí)院士Mark Bohr表示，Intel 10nm工藝的晶體管密度不但會(huì)超過(guò)現(xiàn)在的Intel 14nm，還會(huì)優(yōu)于其他公司的10nm，也就是集成度比他們更高，柵極間距將從14nm工藝的70nm縮小到54nm，邏輯單元?jiǎng)t縮小46％，這比以往任何一代工藝進(jìn)化都更激進(jìn)。

英特爾在14nm工藝上停滯了很久，而三星、臺(tái)積電早于英特爾量產(chǎn)10nm，以至于外界以為是英特爾不行了，事實(shí)并非如此，英特爾一直在兢兢業(yè)業(yè)的攻克技術(shù)，創(chuàng)造出質(zhì)量可靠的10nm工藝。