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日本昭和電工擴(kuò)產(chǎn)SiC晶圓料,晶圓恐飆至1000美元

2020-05-19 12:01:49 1326

集成電路制造用半導(dǎo)體硅晶圓面臨十年來(lái)的“超級(jí)周期”效應(yīng)持續(xù)擴(kuò)散,賣(mài)方市場(chǎng)加速好轉(zhuǎn)已賺的盆滿缽滿,買(mǎi)方未來(lái)要先付訂金,才能鞏固產(chǎn)能并鎖定價(jià)格。包括4、6、8、12寸wafer訂單能見(jiàn)度一路由下半年、明年延伸到后年,12寸wafer報(bào)價(jià)恐飆至1000美元,生產(chǎn)周期已從先前的3個(gè)月拉長(zhǎng)至6個(gè)月,帶動(dòng)電源控制芯片用SiC外延晶圓料也供不應(yīng)求,日廠昭和電工發(fā)布公告將提前進(jìn)行大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)。

晶圓

有錢(qián)沒(méi)貨,12寸wafer報(bào)價(jià)恐飆至1000美元

自去年開(kāi)始傳出硅晶圓缺貨漲價(jià)熱潮后,由于邏輯IC、離散組件等半導(dǎo)體產(chǎn)品在4~6寸、8寸及12寸產(chǎn)品有局部的替代性,造成這一波硅晶圓供需吃緊的狀況由12寸往6寸蔓延,只要12寸硅晶圓缺貨漲價(jià)的情況持續(xù),預(yù)料整個(gè)半導(dǎo)體硅晶圓供應(yīng)鏈在未來(lái)一段時(shí)間,都將雨露均沾。

除了中國(guó)半導(dǎo)體廠大擴(kuò)產(chǎn)能帶動(dòng)需求外,ASIC、指紋識(shí)別、物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)用電子等多方需求成長(zhǎng),帶動(dòng)各大尺寸硅晶圓需求強(qiáng)勁。基本上,12寸硅晶圓供不過(guò)求的情況,要在短期內(nèi)獲得紓解并不容易,除了硅晶圓建廠成本高外,過(guò)去8年,全球主要硅晶圓廠都虧怕了,業(yè)者擴(kuò)產(chǎn)普遍保守的情況下,更讓這波硅晶圓供不應(yīng)求時(shí)程大為拉長(zhǎng)。

因?yàn)樯a(chǎn)硅晶圓的技術(shù)門(mén)坎高,特別是尺寸愈大的硅晶圓,不管在硅純度及產(chǎn)品平坦度的要求嚴(yán)格,新進(jìn)入者技術(shù)門(mén)坎高,而即便有6寸、8寸生產(chǎn)線實(shí)際練兵的業(yè)者,有較高的機(jī)率跨足,但也非短期能見(jiàn)成效,Sumco預(yù)估,最快明年第二季才有新產(chǎn)能釋出,且新產(chǎn)能增加的速度將非常緩慢。

此外,大尺寸硅晶圓在取得客戶認(rèn)證上的難度高,因此,一般半導(dǎo)體廠不太可能冒產(chǎn)品出錯(cuò)的風(fēng)險(xiǎn)去認(rèn)證既有前五大以外的新供貨商,而即便半導(dǎo)體廠愿意認(rèn)證新供貨商,新廠房的認(rèn)證期,也得要2~3年才能完成,這些門(mén)坎,都讓這一波硅晶圓價(jià)格上漲可望走得扎實(shí)且長(zhǎng)。

最缺的12寸硅晶圓,漲幅自然最大,今年逐季調(diào)整售價(jià)后,一般預(yù)估,今年平均漲幅可達(dá)2成以上水平,明年售價(jià)預(yù)估將至少會(huì)再上漲1~2成,而和12寸有局部替代性的8寸硅晶圓,今年平均漲幅預(yù)估可達(dá)1成,業(yè)者預(yù)估,明年也至少會(huì)有再上漲5~10%的水平。

業(yè)界對(duì)于2018年全年缺貨有高度共識(shí),在此一情況下,硅晶圓廠為了優(yōu)先滿足大客戶需求,已通知客戶若可先預(yù)付訂金,就可先鞏固產(chǎn)能及鎖定出貨價(jià)格。第3季平均價(jià)格來(lái)到70美元左右,第4季12寸則達(dá)到80美元,明年第1季供給端將出現(xiàn)將近10%的缺口,報(bào)價(jià)可能狂飆至100美元。

SiC晶圓料滿載,日廠拋出大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃

日本材料大廠昭和電工(Showa Denko)9月14日發(fā)布消息宣布,將增產(chǎn)作為電源控制芯片材料的“碳化硅(SiC)外延晶圓(Epitaxial Wafer)”,目標(biāo)在2018年4月將其月產(chǎn)能自現(xiàn)行的3000片提高約7成至5000片,擴(kuò)產(chǎn)幅度暴增7成。昭和電工指出,此次增產(chǎn)對(duì)象為SiC外延晶圓中的高質(zhì)量產(chǎn)品“High-Grade Epitaxial(HGE)”。HGE的缺陷密度壓低至0.1個(gè)/cm2以下水平、當(dāng)前產(chǎn)線持續(xù)處于滿載狀態(tài)。

昭和電工指出,因近年來(lái)SiC外延晶圓持續(xù)獲得鐵道車(chē)輛、電動(dòng)車(chē)用急速充電站采用,故預(yù)估2020年其市場(chǎng)規(guī)模將擴(kuò)大至12億元人民幣。

日刊工業(yè)新聞15日?qǐng)?bào)導(dǎo),昭和電工上述SiC外延晶圓增產(chǎn)計(jì)劃較原先規(guī)劃的時(shí)間提前半年,而昭和電工目標(biāo)是在2025年將全球市占率自現(xiàn)行的2成擴(kuò)大至3成的水平。

據(jù)報(bào)導(dǎo),2016年全球SiC外延晶圓市場(chǎng)規(guī)模約6億元人民幣、2025年預(yù)估將擴(kuò)大至35.5億元人民幣。受此消息刺激,昭和電工股價(jià)飆漲,創(chuàng)約9年3個(gè)月來(lái)(2008年6月6日以來(lái))新高紀(jì)錄


標(biāo)簽: 昭和電工

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