據(jù)Yole預測，高端封裝市場在 2022 年價值22億美元，預計到 2028 年將超過160億美元，2022-2028 年的復合年增長率為40 %。進一步細分到終端市場，高端性能封裝最大的終端市場是 “電信和基礎(chǔ)設(shè)施”，到 2022 年占市場總收入的 60% 以上。但是，它應該被 “到 2027 年移動和消費終端市場。同樣重要的是，高端封裝的最快終端市場增長 來自“移動和消費”和“汽車和移動”，復合年增長率分別為 50% 和 32%。

就封裝單位而言，高端封裝預計將在2022 年至2028 年實現(xiàn) 43% 的復合年增長率，從 2022 年的 5.11 億個增加到2028年的 43.79 億個. 這種巨大的增長是由于高端封裝的需求正在以非常健康的方式增長，平均售價與不太先進的封裝相比非常高，因為價值從 2.5D&3D平臺逼迫的前端業(yè)務(wù)到后端業(yè)務(wù) 。

3D 堆棧存儲器——HBM、3DS 和 3D NAND——是最大的貢獻者，到 2028 年占總市場份額的 70% 以上。增長最快的四大 =平臺是 3D SoC、有源硅中介層、嵌入式硅橋和 3D NAND堆。

高端性能封裝正變得越來越復雜

所有高端性能封裝平臺的主要技術(shù)趨勢包括減少互連間距，無論類型如何。這涉及到 TSV、TMV、 微凸塊，甚至混合鍵合，這已經(jīng)是最激進的解決方案。除此之外，通孔直徑和晶圓厚度有望降低。這種技術(shù)發(fā)展對于一方面保持更復雜的單片芯片的集成，另一方面保持小芯片的集成是必要的，以支持更快的數(shù)據(jù)處理和傳輸， 同時確保更低的功耗和損耗，并為后代提供更高的密度集成和帶寬 .

Chiplet 和異構(gòu)集成是推動采用 HEP 封裝的另一個重要趨勢，因為市場上已經(jīng)有使用這種方法的產(chǎn)品。例如使用 EMIB 的 Sapphire Rapids；Ponte Vecchio 使用 Co-EMIB；和使用英特爾Foveros的Meteor Lake 。

此外，亞馬遜在其 Graviton3中使用了英特爾的 EMIB 技術(shù)。AMD 是另一個在 Ryzen 和 Epyc等產(chǎn)品中采用這種技術(shù)方法的重要參與者，從第 3 代開始，以及在其 MI250 中重復裸片，這要歸功于使用mold interposer 和mold compound中嵌入硅橋的封裝。在mold compound中嵌入硅橋以及mold interposer也被用于 Apple 的 M1 Ultra，以實現(xiàn)芯片復制。特斯拉的 Dojo D1 使用臺積電的InFO_SoW解決方案——在同一封裝中互連 25 個小 芯片。Biren 使用臺積電的 CoWoS解決方案在其 BR100 中互連兩個小芯片芯片。正如英特爾、AMD、Nvidia 等重要參與者明確宣布的那樣，更多包含分區(qū)或重復芯片的封裝預計將在來年投放市場 。

共封裝 pptics  (CPO：Co-packaged pptics) 是一種先進的光學和硅在單個封裝基板上的異構(gòu)集成，旨在應對下一代帶寬和功率挑戰(zhàn)。即使它不會很快被采用，這種方法也將代表一項重要的技術(shù) 改進。事實上，ASE 已經(jīng)在其路線圖中宣布了為這種包配置提供服務(wù)的能力。

混合鍵合是當今的熱門話題，因為該技術(shù)通過其用于 3D NAND 堆棧存儲器和 CIS 的 W2W 解決方案以及 Graphcore 的 BOW IPU等邏輯到邏輯產(chǎn)品，這使其越來越受歡迎。2022 年， 由于臺積電的 3DFabric的推出， AMD 將其 V-Cache 技術(shù)商業(yè)化，其 Ryzen 和Epyc 產(chǎn)品率先使用 D2W 方法進行 SRAM 到邏輯芯片互連?；旌湘I合應該會受到更多關(guān)注，因為collective D2W 方法有望用于 HBM3+ 代中的 DRAM 堆疊。此外，使用這種方法的新參與者將滲透到市場中。下一步將是使用 D2D 方法來支持 chiplet 和異構(gòu)集成趨勢。

3D技術(shù)趨勢是在未來幾年采用更多的HB進行堆疊。內(nèi)存玩家會多用W2W，然后集體D2W HB。邏輯玩家將使用更多的 D2W HB，這也為異構(gòu)集成提供了更大的靈活性。W2W 方法將隨之而來，也將越來越流行 。將 TSV 與用于 HBM 和 3DS 的微凸塊相結(jié)合的經(jīng)典方法將繼續(xù)作為一種解決方案占據(jù)主導地位，而未來將有裸片到中介層 HB 選項。

總的趨勢是將更多的 2.5D 平臺與 3D 平臺結(jié)合在同一個封裝中。因此，我們預計未來的封裝將使用 3D SoC、2.5 中介層、嵌入式硅橋和共同封裝的光學器件集成 到 同一封裝中。新的 2.5D 和 3D 封裝平臺將 在稍后投放市場，使 HEP 封裝變得更加復雜。

進入HEPP供應鏈的門檻越來越高

隨著一些參與者提出 HEP 封裝解決方案，高端封裝供應鏈正在朝著具有可持續(xù)商業(yè)案例的長期生存能力發(fā)展 ——如果沒有這些解決方案，目前市場上的某些產(chǎn)品和性能甚至無法實現(xiàn) 。那是因為高端封裝平臺正在向前端制造靠攏。顯然，需要前端能力來生產(chǎn)硅中介層、硅橋、3D 堆疊存儲器和 3D SoC。因此，臺積電、英特爾和三星是推動 HEP 封裝創(chuàng)新的主要參與者。TSMC 展示了其 3DFabric，利用 CoWoS 、  InFO和 3D  SoIC 解決方案。英特爾正在使用其 Foveros、EMIB 和 Co-EMIB 產(chǎn)品，以及后來的 Foveros  Direct & Omni。三星是 HBM 和 3DS 內(nèi)存的先驅(qū) ，并提供 I- CubeS 、H-Cube，以及后來的 R-Cube 和 X-Cube 。

目前，不同商業(yè)模式（晶圓代工、IDM、OSAT）的企業(yè)都在同一個高端封裝市場空間展開競爭。然而，能夠?qū)崿F(xiàn)高水平包裝質(zhì)量的玩家數(shù)量有限，因為高端或在某些情況下前端制造和集成的復雜程度使得玩家難以打入市場 。2022 年，長江存儲、三星、SK 海力士和美光在收入市場份額方面占據(jù)市場主導地位，因為 3D 堆棧存儲器是 HEP 封裝業(yè)務(wù)的主要貢獻者 。

高端封裝供應鏈的進入門檻越來越高，尤其是混合鍵合的采用，讓OSAT廠商無從下手。英特爾、臺積電和三星等大公司已成功利用先進封裝市場的增長，并在高端性能封裝方面實現(xiàn)了比 OSAT 更快的上市時間。這種策略對 OSAT 構(gòu)成了間接但強大的威脅。

在高端封裝中，OSAT 的業(yè)務(wù)正在被代工廠和 IDM 蠶食。展望未來，無晶圓廠可能會被尖端交鑰匙服務(wù)的前景所吸引，例如最新的硅節(jié)點制造技術(shù)加上先進的封裝。然而，日月光、SPIL、Amkor、JCET、TF 和 華天等頂級 OSAT 正在努力跟上領(lǐng)先封裝業(yè)務(wù)的步伐，專注于 2.5D 解決方案，如mold compound中的有機中介層和嵌入式硅橋。這是進入混合鍵合市場的缺失可能性的一個很好的替代方案。即使 OSAT 無法生產(chǎn)接近 FE 制造的 HEP 封裝解決方案，它們在最終封裝組裝和測試中無處不在。

OSAT 和基板供應商可能會在系統(tǒng)級獲得巨大的封裝價值，但他們在財務(wù)或技術(shù)上不具備利用現(xiàn)有設(shè)備和材料專業(yè)知識自行制造和管理 FE 芯片的能力。因此，他們可以轉(zhuǎn)向無晶圓廠、晶圓代工或 IDM 尋求合作伙伴關(guān)系，或直接尋求并購機會。

過去兩年有很多投資和產(chǎn)能擴張公告，主要發(fā)生在中國。預計會有更多的 中國企業(yè)使用或提供 HEP 包裝解決方案，參與業(yè)務(wù)增長。技術(shù)提供商仍然是主要參與者，提供更多 2.5D 和 3D 技術(shù)封裝選項。