問： 高速系統(tǒng)的定義? 
答： 高速數(shù)字信號由信號的邊沿速度決定，一般認為上升時間小于4 倍信號傳輸延遲時可視為高速信號。而平常講的高頻信號是針對信號頻率而言的。設計開發(fā)高速電路應具備信號分析、傳輸線、模擬電路的知識。錯誤的概念：8kHz幀信號為低速信號。    
問：在高速PCB設計中，經(jīng)常需要用到自動布線功能，請問如何能卓有成效地實現(xiàn)自動布線?
答：在高速電路板中，不能只是看布線器的速度和布通率，這時，還要看它能否接受 高速的規(guī)則，比如要求從T型接點到各個終端等長，這時Cadence的SPECCTRA能很好的解決 高速的布線問題。很多布線 器不能接收或只能接受很少的高速規(guī)則。    
問：在高速PCB設計中，串擾與信號線的速率、走線的方向等有什么關系?需要注意哪些設計指標來避免 出現(xiàn)串擾等問題? 
答：串擾會影響邊沿速率，一般來說，一組總線傳輸方向相同時，串擾因素會使邊沿速率變慢。一組總線傳輸方向不相同時，串擾因素會使邊沿速率變快?？刂拼當_可以通過控制線長、線間距、走線的疊層以及 源端的匹配來實現(xiàn)。     問：對于高速系統(tǒng)，多層電路板在布線時應該注意些什么?各層的功能定義有什么原則?  答：要注意電源、地平面的安排，走線層保證阻抗一致。關鍵信號盡量走兩邊都有平面層的走線層，不要 跨平面分割，一般根據(jù)實際情況來定。電源、地就近打過孔與電源、地平面相連。    
問：在多層電路板上，什么措施可以降低層間的相互干擾，提高信號質量? 
答：主要是解決好阻抗控制、匹配、走線回流、電源完整性、EMC等方面的問題。降低層間干擾可以減小走線層與平面層的距離，加大走線層間的距離，并且相鄰走線層盡量不去走平行走線，方法很多，不能一 一列舉。    
問：針對數(shù)字電源、模擬電源、數(shù)字地和模擬地，請問在PCB設計中如何對他們進行劃分?
答：電源通過濾波電路相連接，數(shù)字與模擬分開。數(shù)字和模擬地要看具體的芯片，有些要求分開，單點連 接，有些不需要分開。    
問：背板只提供了一個地，且為數(shù)字地，而插卡上既有模擬部分也有數(shù)字部分，那么這種模擬地如何接呢?
答：看你插卡模擬部分的芯片要求，一般可以把插卡上數(shù)字、模擬地分開，在插卡上單點相連，插卡地數(shù) 字地與背板數(shù)字地相連。    
問：在高速PCB設計中，如何考慮阻抗匹配的問題?在多層電路板設計中，內部信號層的特性阻抗如何計 算?輸入阻抗50Ω與輸出阻抗75Ω如何匹配? 
答：阻抗匹配需要自己根據(jù)線寬、線厚、板材結構等計算，有時必須加串聯(lián)或并聯(lián)電阻來達到匹配。內部信號層阻抗計算也是一樣考慮這些參數(shù)。輸入阻抗50Ω與輸出75Ω不可能完全匹配，只要能保證信號的完 整性和時序的問題就可以。    
問：在EMC測試中發(fā)現(xiàn)時鐘信號的諧波超標十分嚴重，在PCB設計中除在電源引腳上連接去耦電容，還 需要注意哪些方面以抑止電磁輻射? 
答：可以把時鐘信號走在內層，或時鐘線上連一小電容到地(當然會影響時鐘邊沿速率)。   
過孔與焊盤
a、過孔只能內壁孔化(除非標注或外徑比內徑小將被廠家認為是不孔化);而焊盤可以直接不孔化(焊盤的 Advanced里的Plated的勾去掉即為不孔化)。 
b、過孔是在選定的兩層之間的，孔徑不能為0，對多層板可作出通孔、盲孔、埋孔等;而焊盤只能是在單 層的(通孔形焊盤也可被認為在單個MultiLayer層)，孔徑可為0，鉆孔只能為通孔。 
c、與覆銅同一網(wǎng)絡的過孔在覆銅(選覆蓋同一網(wǎng)絡)時將被直接覆蓋;而與覆銅同一網(wǎng)絡的焊盤可選連接方式。 
d、過孔只能是圓形;而焊盤可為正方形、長方形、八角形、圓形、橢圓形等，并可用Pad Stack來定義頂層、中間層和底層各自的大小和形狀。    
印制電路板的可靠性設計—去耦電容配置
在直流電源回路中，負載的變化會引起電源噪聲。例如在數(shù)字電路中，當電路從一個狀態(tài)轉換為另一種狀態(tài)時，就會在電源線上產(chǎn)生一個很大的尖峰電流，形成瞬變的噪聲電壓。配置去耦電容可以抑制因負載變 化而產(chǎn)生的噪聲，是印制電路板的可靠性設計的一種常規(guī)做法，配置原則如下： 
●電源輸入端跨接一個10～100uF的電解電容器，如果印制電路板的位置允許，采用100uF以上的電解電 容器的抗干擾效果會更好。 
●為每個集成電路芯片配置一個0.01uF的陶瓷電容器。如遇到印制電路板空間小而裝不下時，可每4～10個芯片配置一個1～10uF鉭電解電容器，這種器件的高頻阻抗特別小，在500kHz～20MHz范圍內阻抗 小于1Ω，而且漏電流很小(0.5uA以下)。 
●對于噪聲能力弱、關斷時電流變化大的器件和ROM、RAM等存儲型器件，應在芯片的電源線(Vcc)和地 線(GND)間直接接入去耦電容。 
●去耦電容的引線不能過長，特別是高頻旁路電容不能帶引線